MCP235P
P沟道20V低内阻MOSFET


○特性
■ -20V/5A
■ 漏源极底导通电阻特性:
　 RDS(On)<35mΩ@VGS= -4.5V
　 RDS(On)<40mΩ@VGS= -2.5V
　 RDS(On)<45mΩ@VGS= -1.8V
■ SOT-23封装
■ 符合环保要求

○MCP235P典型应用电路

○功能描述
MCP235P是一款特定制的P沟道低导通电阻MOSFET。该器件在Vgs为-4.5V时可达到35mΩ导通电阻，如此低的导通内阻参数在目前众多SOT-23封装的P-MOSFET中是非常出众的。
由于较小的导通电阻，此器件非常适合应用在高电流负荷的场合中使用；对于负载的4、5A电流可以轻松流过，由于漏源极导通电阻(RDSon)很小，这使得流经器件本身所产生的电压降也很小。相比其他稍大的RDSon的MOSFET而言，该器件在大电流流过时将有效地降低产品或板卡产生的发热量以及减少对开关管输出端电压的影响。器件为SOT23封装，相比其他大体积封装只需占用较小PCB面积和空间。
参考上面的典型应用电路图,对于MCU控制负载电源开关应用是非常适合的。比如小型航模、小型直流电机控制、电池供电产品的节能控制、低功耗设计中的电源开关控制管应用等等。

○手册下载
MCP235P中文手册　　MCP235P的SCH/PCB封装库及3D模型

○供货信息
MCP235P已批量现货供应，欢迎导入到你的产品中！