微控论坛原创主贴 作者:stanley (微控论坛特约嘉宾,GMT资深电源FAE)
[COLOR=#0000ff]什么是特殊LDO-高耐压,低输入电压,高输出电流,高PSRR,低IQ,低压差,怪封装[/COLOR]
最近时常被问到什么是特殊LDO, 我来举个例
一个3.3V转1.8V/1A, 600uA IQ, 40dB PSRR, SOT223, 就叫一般用途LDO(General Purpose LDO)相较于一般用途LDO, 就有特殊LDO(Sepcial Purpose LDO)特殊LDO可以分为以下几个个别特点, 一起出现的机会不多.
■超低Dropout, 一般dropout取决于内部MOSFET的阻抗, 一个宣称3A, 0.15V压降的, 其MOSFET的内部阻抗就是0.05 ohm, 这样的产品现在比较常见,有时候可以透过外加驱动电源来达成,1A只需要50mV我认为算特殊.
■超高耐压, 一般CMOS LDO的耐压是6V, Bipolar的LDO是24V左右, 也有的耐到100V的,超过24V的耐压我认为算特殊.
■超低Iq, 一般CMOS从12uA~1000uA很常见, 1117就要10mA, 没事的时候, 也耗电, 携带式的装置很在意
低于4uA我认为算特殊.
■超高PSRR, 以1117为例, 1KHz@40dB, 频率上到100K基本只剩下10倍的衰减,1KHz高到80dB算高, 100KHz有60dB很厉害.
■超低输入电压, 一般CMOS LDO因为要内部MOSFET动作,最少电压在2.1V 左右, 保险一点设2.2V低于1.8V算低, 据我所知, 还是要靠charge pump把驱动电压提高, 才做得到.
■超高电流, 市面常见5A最大, 也少见更多的电流需要Linear Regulator, 甚至超过3A多会用DC/DC大于5A算超高.
■特殊封装, 以怪,小,大为主要表现方式超越一般就代表越少人有, 越有价值...
