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    补充一点:
    挺重要的,我在其他地方CAT的。
    关于页写的道理。
        AT24Cxx系列的EEPROM为了提高写效率,提供了页写功能,内部有个一页大小的写缓冲RAM,地址范围当然就是从00到一页大小,发生写操作时,开始送入的地址对应的页被选中,并将其内容映像到缓冲RAM,数据从低端地址对应的缓冲RAM地址开始修改,超过这个地址范围就回到00,写完后,就会把开始确定的EEPROM页擦除,再把一整页RAM数据写入。所有写数据都发生在开始写地址时确定的页上。
        如页容量为128,一页都是从00开始按128字节分成一个个的页,0页就是0~7F,1页就是80~FF,类推,边界就是128字节的整数倍地址。页RAM的地址范围为7位00~7F,写入时高端地址就是页号。发生写操作,开始送入的地址对应的页被锁存,后续不论写多少,都在这个页中,只是一个页内的地址进行加一,超过就归零开始。从F0开始写32个字节,那么开始送入的地址为F0,就会锁定在1号页(第2个页)上,底端7位页内部地址开始从70H开始写,到达7F时回到00再到10H,也就是写在了F0~FF,80~8F。也就是,从01开始写也只能到7F,再往80写就跑到00上去了,这就是写操作的翻卷,datasheet上都有说明。就是从边界前写两个字节也要分两次写。页是绝对的,按整页大小排列,不是从开始写入的地址开始算。
        读没有页的问题,可以从任意地址开始读取任意大小数据,只是超过整个存储器容量时地址才回卷。但一次性访问的数据长度也不要太大。所以分页的存储器要做好存储器管理,尽量同时读写的数据放在一个页上。
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